Samsung planea la introducción de su tecnología V-NAND

Samsung se prepara para dar un salto significativo tecnológico de las unidades de estado sólido (SSD) con la introducción de nuevos chips V-NAND de mayor capacidad. El gigante tecnológico anunció que iniciará la producción en masa de su 9ª generación de V-NAND, con 290 capas activas. Esta nueva tecnología supondrá un modesto aumento respecto a las 236 capas anteriores, pero promete una mejora significativa en la forma de fabricar estos dispositivos.

La nueva V-NAND de 290 capas empleará una técnica de producción de apilamiento en cadena. Este método consiste en construir una capa CMOS con circuitos lógicos, coronada por una matriz de memoria NAND 3D de 145 capas y, encima, otra capa de 145 capas. Este método simplifica el proceso de fabricación y se espera que mejore el rendimiento de la producción, lo que podría reducir los costes de algunas de las unidades SSD de Samsung, sobre todo las destinadas a los mercados generalistas y económicos.

La empresa tiene planes para los próximos años, con la introducción de una V-NAND de 430 capas de 10ª generación prevista para la segunda mitad de 2025. Esta futura tecnología ampliará los límites del mercado de las SSD, estableciendo nuevos estándares de densidad y eficiencia de almacenamiento. Los avances de Samsung se producen al mismo tiempo que sus competidores avanzan en la tecnología NAND. SK hynix se prepara para producir NAND de 321 capas a principios del año que viene, y YMTC, en China, planea fabricar productos de 300 capas para la segunda mitad de 2024.

Dado que la demanda de mayor rendimiento y capacidad en almacenamiento flash sigue creciendo, impulsada por las aplicaciones en inteligencia artificial y procesamiento de datos a alta velocidad, las innovaciones de Samsung en tecnología V-NAND están llamadas a desempeñar un papel crucial en la configuración del futuro de las soluciones de almacenamiento.

Fuente: Eteknix